Кремниевые транзисторы
Прибор | Характеристики | Информация |
---|---|---|
Транзистор КТ6136А p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в линейных, импульсных схемах и другой радиоэлектронной аппаратуре широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6117А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в высокочастотных устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6116А p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в высокочастотных устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6116А p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в высокочастотных устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6115Г p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в выходных усилителях портативной радиоаппаратуры, в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6115В p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в выходных усилителях портативной радиоаппаратуры, в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6115Б p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в выходных усилителях портативной радиоаппаратуры, в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6115А p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в выходных усилителях портативной радиоаппаратуры, в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6114Г n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в высокочастотных устройствах, в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6114В n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в высокочастотных устройствах, в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »